化合物半導(dǎo)體液相外延生成用高純石墨制品

化合物半導(dǎo)體液相外延生成用高純石墨制品化合物半導(dǎo)體液相外延生成用高純石墨制品

把拉伸法制造的化合物半導(dǎo)體單晶棒制成硅片，再用液相法在硅片上生長(zhǎng)同種或異種的化合物半導(dǎo)體結(jié)晶層。這個(gè)過程使用的裝置有臥式滑動(dòng)舟型、臥式旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)型、豎式浸漬型等種類。圖2-11所示為臥式滑動(dòng)舟型的簡(jiǎn)單構(gòu)成其舟體即是用高純度各向同性石墨的部件組合而成，也可以使用玻璃炭涂層的石墨部件。其工作原理為把石英管中的石墨舟加熱至1300，在通入氫氣的同時(shí)，移動(dòng)裝載有硅片的滑動(dòng)板，使其與所定的某種金屬相接觸，緩慢冷卻后硅片上就會(huì)析出單晶。要生成多層單晶時(shí)，按上述方法反復(fù)操作即可。之所以使用石墨材料，乃是因?yàn)槠渚哂懈邷貜?qiáng)度高、電性能不活躍、高純石墨制品、熱傳導(dǎo)性能好、加工性能好及自潤(rùn)滑性等特性。

化合物半導(dǎo)體有機(jī)金屬氣相生長(zhǎng)用高純石墨制品（MOCVD）

在化合物半導(dǎo)體上，以CVD法生長(zhǎng)同種或不同種的化合物半導(dǎo)體單結(jié)晶的工序中，作為固定片的基盤座，使用SiC涂層的高純石墨制品。圖2-12所示為裝置。原料使用含Ga、As、Al等的有機(jī)化合物，在減壓下加熱至600~750℃，使之熱分解蒸涂到片上生成薄膜。采用SiC涂層品的理由是為防止從石墨中發(fā)生的氣或粉塵污染薄膜。