單晶爐有哪些操作？

單晶爐進行以下操作；
    1.清爐、裝爐：清洗整個爐室內(nèi)壁及加熱線圈、反射器、晶體夾持器、上軸、下軸，調(diào)整加熱線圈和反射器的水平及與上軸、下軸的對中；將多晶料夾具固定到多晶料尾部的刻槽處，然后將其舉返設備到上軸末端，進行多晶料的對中；將籽晶裝入籽晶夾頭上，然后將其設備到下軸頂端；封閉各個爐門，擰緊各緊固螺栓； 
    2.抽空、充氣、預熱：打開真空泵及抽氣管道閥門，對爐室進行抽真空，真空度到達所要求值時，封閉抽氣管道閥門及真空泵，向爐膛內(nèi)快速充入氬氣；當充氣壓力到達相對壓力 1bar-6bar時，中止快速充氣，改用慢速充氣，一起打開排氣閥門進行流氬；充氣完畢后，對多晶硅棒料進行預熱，預熱運用石墨預熱環(huán)，運用電流檔，預熱設定點25-40％，預熱時間為10-20分鐘；     3.化料、引晶：預熱完畢后，進行化料，化料時轉(zhuǎn)入電壓檔，發(fā)生器設定點在40-60％；多晶料熔化后，將籽晶與熔硅進行熔接，熔接后對熔區(qū)進行整形，引晶； 
    4.成長細頸：引晶完畢后，進行細頸的成長，細頸的直徑在2-6mm，長度在30-60mm； 
    5.擴肩及氮氣的充入：細頸成長完畢后，進行擴肩，緩慢削減下速至3±2mm/min，一起隨著擴肩直徑的增大不斷削減下轉(zhuǎn)至8±4rpm，別的還要緩慢減小上轉(zhuǎn)至1±0.5rpm；為了避免高壓電離，在氬氣保護氣氛中充入必定份額的氮氣，氮氣的摻入份額相對于氬氣的 0.01％-5％；
    6. 轉(zhuǎn)肩、堅持及夾持器開釋：在擴肩直徑與單晶堅持直徑相差3-20mm時，擴肩的速度要放慢一些，進行轉(zhuǎn)肩，直至到達所需直徑，單晶堅持，等徑堅持直徑在75mm-220mm，單晶成長速度1mm/分-5mm/分，在擴肩過程中，當單晶的肩部單晶夾持器的銷子的距離小于2mm時開釋夾持器，將單晶夾住； 
    7.收尾、停爐：當單晶拉至尾部，開始進行收尾，收尾到單晶的直徑到達Φ10-80mm，將熔區(qū)擺開，這時使下軸持續(xù)向下運動，上軸改向上運動，一起功率堅持在40±10％，對晶體進行緩慢降溫。一種直拉單晶成長設備，歸于半導體成長設備技術領域。它包含液壓伺服系統(tǒng)調(diào)理坩堝桿；在加熱控制單元中，三相平衡變壓器、濾波電容器、電抗器和電阻器組合連接而成，與諧波源并聯(lián)；它還具有變頻充氣設備。本發(fā)明克服現(xiàn)有的坩堝軸升降驅(qū)動設備不能有用的確保出產(chǎn)控制穩(wěn)定性及精確度不行精確缺乏，克服現(xiàn)有的加熱控制單元不能消除諧波的缺乏，一起也克服現(xiàn)有的坩堝軸升降驅(qū)動設備不能有用的確保出產(chǎn)控制穩(wěn)定性及精確度不行精確缺乏。